Ram Team T-Force Dark Z 16GB DDR4 3200MHz Red TDZRD416G3200HC16C01
Thiết kế áo giáp logo bằng kim loại
Ram Team T-Force Dark Z được thiết kế dựa trên khái niệm về một hiệp sĩ mặc giáp và áo choàng chiến tranh. Cung cấp khả năng bảo vệ hoàn thiện hơn bằng cách tinh chỉnh bộ tản nhiệt được thực hiện theo quy trình ép xung truyền thống. Quá trình anod hóa điện phân và thiết kế logo điện hóa kim loại được sử dụng để tạo ra tiếng vang với bộ giáp công nghệ.
Cấu trúc gia cố, tăng cường tản nhiệt
Nó được thực hiện bằng quy trình ép đột với nhôm hợp kim một mảnh, dày 0.8mm. Ngoài ra, việc tạo màu bằng quá trình anod hóa điện phân có thể cung cấp khả năng chống ăn mòn và làm cho nó không dẫn điện. Bằng cách truyền nhiệt từ chất kết dính nhiệt siêu dẫn đến các module làm bằng hợp kim thông qua dẫn nhiệt, bộ nhớ ép xung có thể được duy trì trong nhiệt độ hoạt động.
Chip IC chọn lọc, ổn định và bền
Mỗi chip vi mạch được sản xuất cho bộ nhớ chơi game T-FORCE DARK Z DDR4 của TEAMGROUP đều được lựa chọn thông qua một quy trình kiểm tra nghiêm ngặt. Mọi bộ nhớ ép xung đều được kiểm tra tính tương thích và ổn định hoàn toàn. Điều này mang đến cho game thủ một bộ nhớ DDR4 với chất lượng tuyệt vời, hiệu suất tối ưu, độ ổn định và khả năng tương thích.
Hiệu suất cao, tiêu thụ điện năng thấp, nâng cấp dễ dàng
Ngoài tốc độ truyền dữ liệu tăng, điện áp làm việc cơ bản của thế hệ bộ nhớ DDR4 nâng cấp mới cũng giảm xuống còn 1,2V. Bộ nhớ máy tính để bàn này tiết kiệm năng lượng, hiệu suất cao và tiêu thụ điện năng thấp.
